包围
🔴 错误
OD.1 — OD Enclosure by NW
N阱对有源区的包围
N-Well对OD（有源区）的包围不满足要求。PMOS管需要被N阱完全包围。
💡 解决方案
1.
增大N阱尺寸以完全包围PMOS的有源区
2.
确保N阱边缘到OD边缘的距离满足最小要求
3.
注意N阱连接（NW Tap）也需要满足enclosure规则
🔧 修复示例
将 N-Well 尺寸增大，确保到 PMOS OD 边缘的距离至少 0.12um。
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错误代码
OD.1
OD Enclosure by NW
N阱对有源区的包围
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