虚拟填充

Dummy Fill

在版图空白区域添加的非功能性金属/多晶硅图形，满足密度规则。

详细解释

CMP（化学机械抛光）工艺要求芯片表面各区域金属密度均匀。Dummy Fill是在空白区域添加的非连接金属图形，满足最小/最大密度规则。EDA工具自动添加。Dummy Fill会影响寄生电容，需要在PEX中正确建模。

CMP过程中，金属密度高的区域抛光慢（金属比氧化物硬），密度低的区域抛光快，导致表面不平。Dummy Fill使密度均匀化，保证光刻和CMP质量。典型密度要求：30%-80%。

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自动Fill后检查关键信号的寄生变化；2. 敏感模拟电路附近可手动控制Fill间距；3. Fill与信号线的间距要大于最小间距；4. 高频电路的Fill可能引入额外耦合电容。

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满足金属密度DRC规则

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CMP平坦化保证

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多晶硅密度均匀性

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金属层间介质厚度控制

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提高光刻质量

中英对照

虚拟填充

Dummy Fill