双极型晶体管

BJT

由两个PN结组成的电流放大器件，用于高精度模拟电路。

详细解释

BJT（Bipolar Junction Transistor）有NPN和PNP两种。在CMOS工艺中可寄生实现（如PNP用Nwell/Psub），但性能不如专用BiCMOS工艺。BJT的gm/Id比MOS大，适合高精度应用。带隙基准电路中BJT是核心器件。

NPN：发射结正偏、集电结反偏时，发射区电子注入基区，被集电极收集。Ic = Is·e^(VBE/VT)，gm = Ic/VT。电流增益β = Ic/Ib，典型值50-200。

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CMOS工艺中PNP用Nwell做base、P+做emitter/collector；2. 带隙基准用8:1面积比的PNP对；3. 匹配BJT需共质心；4. 注意Collector-Substrate结电容。

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带隙基准源（VBE+ΔVBE）

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高精度运放输入级

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低噪声放大器

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温度传感器

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电流源/电流镜

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对数放大器

中英对照

双极型晶体管

BJT