电路模块
互补金属氧化物半导体
CMOS
将NMOS和PMOS组合使用的集成电路工艺，静态功耗极低。
详细解释
CMOS（Complementary MOS）是当今主流的集成电路制造工艺。在CMOS反相器中，PMOS上拉、NMOS下拉，任一时刻只有一个管子导通，静态电流极小。CMOS工艺从0.5μm发展到如今的3nm，是摩尔定律的核心载体。
工作原理
CMOS反相器：输入高电平时NMOS导通PMOS截止，输出低电平；输入低电平时PMOS导通NMOS截止，输出高电平。功耗主要来自开关瞬间的短路电流和负载充放电，P = α·C·V²·f。
版图设计要点
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PMOS和NMOS的有源区不能重叠；2. 共用NWell/substrate接触；3. 电源/地线用金属层走宽线；4. 标准单元高度固定，宽度可变。
典型用途
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微处理器（CPU、GPU）
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数字ASIC/FPGA
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模拟/混合信号IC（ADC、PLL）
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传感器接口电路
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无线通信射频前端
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物联网低功耗芯片
中英对照
互补金属氧化物半导体
CMOS