电学参数
阈值电压
Threshold Voltage (Vth)
MOSFET开始形成导电沟道所需的最小栅极电压。
详细解释
阈值电压Vth是MOSFET最重要的参数之一。典型值：标准NMOS约0.4-0.5V，PMOS约-0.4~-0.5V（180nm工艺）。低Vth器件速度快但漏电大，高Vth器件省电但速度慢。多Vth工艺(Multi-Vt)提供不同Vth的器件选项。
工作原理
Vth = Vth0 + γ(√(2φF+VSB) - √(2φF))，其中Vth0为零偏Vth，γ为体效应系数，VSB为源衬偏压。短沟道效应使Vth随沟道长度减小而降低（DIBL）。工艺通过调整沟道掺杂和栅氧厚度控制Vth。
版图设计要点
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匹配器件的Vth失配是主要误差源；2. 增大面积减小随机Vth失配；3. 短沟道器件注意Vth Roll-off；4. 多Vth选择要与功耗/速度权衡；5. 源衬偏压影响Vth，差分对共质心消除。
典型用途
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逻辑门阈值设定
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低功耗设计（高Vth器件）
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高速设计（低Vth器件）
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多Vth优化（速度-功耗权衡）
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模拟电路偏置点设计
中英对照
阈值电压
Threshold Voltage (Vth)