电学参数
跨导
Transconductance (gm)
描述栅极电压对漏极电流的控制能力，是衡量放大能力的核心参数。
详细解释
跨导gm = dId/dVgs，单位S(西门子)。在饱和区，MOSFET的gm = √(2μCox·W/L·Id) = 2Id/(Vgs-Vth)。gm越大，放大能力越强。gm/Id是模拟设计中常用的效率指标，亚阈值区gm/Id最大（低功耗设计）。
工作原理
gm决定电路的增益（Av = gm·Rout）、带宽（fT = gm/(2π·Cgs)）、噪声（输入参考噪声∝1/gm）。设计时通过调整W/L和偏置电流Id来优化gm。在 inversion coefficient(IC)设计方法中，gm/Id与工作区域直接相关。
版图设计要点
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大gm需要大W/L或大电流；2. 匹配电路gm要一致（W/L和Id都匹配）；3. 高频电路gm最大化提高fT；4. 低噪声电路gm最大化降低输入参考噪声。
典型用途
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放大器增益设计（Av=gm×Rout）
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带宽设定（fT=gm/2πCgs）
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噪声优化（输入参考噪声∝1/gm）
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环路增益设计
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gm/Id设计方法论
中英对照
跨导
Transconductance (gm)