25+ 常见 DRC/LVS 错误的解决方案，快速定位并修复设计规则违规
MOS管栅极连接的金属面积过大，在制造过程中刻蚀时会积累过多电荷，可能击穿栅氧化层。
某层金属的天线比超过工艺限制。下层金属面积过大，刻蚀时电荷积累。