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25+ 常见 DRC/LVS 错误的解决方案，快速定位并修复设计规则违规

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天线效应错误

ANT.1 — Gate Antenna （栅极天线效应）

MOS管栅极连接的金属面积过大，在制造过程中刻蚀时会积累过多电荷，可能击穿栅氧化层。

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ANT

天线效应警告

ANT.2 — Metal Antenna （金属天线效应）

某层金属的天线比超过工艺限制。下层金属面积过大，刻蚀时电荷积累。

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ANT

包围错误

CON.1 — Contact Enclosure by Metal1 （金属1对接触孔的包围）

Metal1对Contact的包围(Enclosure)不满足最小要求。Metal1需要完全覆盖Contact并留有余量。

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CON

间距错误

CON.2 — Contact Spacing （接触孔间距）

两个Contact之间的间距不满足最小间距要求。

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CON

密度警告

DUM.1 — Dummy Fill Coverage （Dummy Fill覆盖率）

Dummy Fill的覆盖率不足，无法满足CMP工艺要求。

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DUM

LVS 错误

LVS.DEV — Device Mismatch （器件不匹配）

版图中的器件数量或参数与原理图不一致。可能是MOS管数量、尺寸或连接方式不同。

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LVS

LVS 错误

LVS.NET — Net Mismatch （网络不匹配）

版图中的网络（Net）与原理图不一致。可能由缺失连接、多余连接或网络名称错误导致。

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LVS

开路错误

LVS.O — Open Circuit （开路）

版图中本应连接的网络存在断路。常见于Via缺失、金属层断裂或Label未对齐。

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LVS

LVS 错误

LVS.PIN — Pin Missing （引脚缺失）

版图中缺少原理图要求的引脚（Pin）。LVS需要正确的Pin进行网络匹配。

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LVS

短路错误

LVS.S — Short Circuit （短路）

版图中两个不应连接的网络被短路。常见原因包括金属层重叠、Via误连接等。

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LVS

最小宽度错误

MET1.1 — Metal1 Minimum Width （金属1最小宽度）

Metal1层线宽不满足最小宽度要求。这是最常见的DRC错误之一，通常发生在信号走线或电源线过窄时。

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MET

间距错误

MET1.2 — Metal1 Spacing （金属1间距）

两个Metal1图形之间的间距小于最小间距规则。这是版图设计中最常遇到的DRC错误。

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MET

密度错误

MET1.3 — Metal1 Minimum Density （金属1最小密度）

Metal1层的填充密度低于工艺要求的最小值。CMP工艺需要各金属层达到一定密度以保证平坦化。

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MET

最小宽度错误

MET2.1 — Metal2 Minimum Width （金属2最小宽度）

Metal2层线宽不满足最小宽度要求。

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MET

密度警告

MET2.4 — Metal2 Maximum Density （金属2最大密度）

Metal2层的填充密度超过工艺要求的最大值。过高的密度可能导致CMP过度研磨。

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MET

最小宽度错误

MET3.1 — Metal3 Minimum Width （金属3最小宽度）

Metal3层线宽不满足最小宽度要求。Metal3通常用于全局走线和电源分配。

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MET

阱错误

NW.1 — N-Well Minimum Width （N阱最小宽度）

N阱宽度不满足最小宽度要求。

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NW.

间距错误

NW.2 — N-Well Spacing （N阱间距）

两个N-Well之间的间距不满足最小间距规则。N阱用于隔离PMOS管。

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NW.

包围错误

OD.1 — OD Enclosure by NW （N阱对有源区的包围）

N-Well对OD（有源区）的包围不满足要求。PMOS管需要被N阱完全包围。

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OD.

间距错误

OD.2 — OD Spacing （有源区间距）

两个有源区（OD）之间的间距不满足要求。

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OD.

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